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                            场效应管的分类和结构

                            图4 JFET的特性例(n沟道)

                               从图4所示的n沟道JFET的特性例来看,让VGS 有很小的变化就可控制ID 很大变化的情况是可以理解的。采用JFET设计放大器电路中,VGS 与ID 的关系即传输特性是最重要的2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,其次将就传输特性以怎样方式表示加以说明2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台。

                            图5 传输特性

                            这个传输特性包括JFET本身的结构参数,例如沟道部分的杂质浓度和载体移动性,以致形状2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台、尺寸等2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,作为很麻烦的解析结果可导出如下公式(公式的推导略去)


                            10.4.1

                            作为放大器的通常用法是VGS 2021欧洲杯竞猜投注平台、VGS (off) < 0(n沟道)2021欧洲杯竞猜投注平台,VGS 、VGS (off) >0(p沟道)2021欧洲杯竞猜投注平台。式(10.4.1)用起来比较困难2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,多用近似的公式表示如下


                            将此式就VGS 改写则得下式

                            上(10.4.2)   下(10.4.3)
                            若说式(10.4.2)是作为JFET的解析结果推导出来的2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,不如说与实际的JFET的特性或者式(10.4.1)很一致的作为实验公式来考虑好些2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台。图5表示式(10.4.1)2021欧洲杯竞猜投注平台、式(10.4.2)及实际的JFET的正规化传输特性2021欧洲杯竞猜投注平台,即以ID /IDSS为纵坐标2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,VGS /VGS (off) 为横坐标的传输特性2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台。n沟道的JFET在VGS < 0的范围使用时2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,因VGS(off) < 02021欧洲杯竞猜投注平台,VGS /VGS(off) >02021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台,但在图5上考虑与实际的传输特性比较方便起见,将原点向左方向作为正方向。但在设计半导体电路时2021欧洲杯竞猜投注平台,需要使用方便且尽可能简单的近似式或实验式2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台。
                            传输特性相当于双极性晶体管的VBE -IE特性2021欧洲杯竞猜投注平台,但VBE -IE 特性是与高频用2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台、低频用2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台、功率放大用等用途及品种无关几乎是同一的2021欧洲杯竞猜投注平台。与此相反2021欧洲杯竞猜投注平台,JFET时,例如即使同一品种IDSS2021欧洲杯竞猜投注平台、VGS(off)的数值有很大差异2021欧洲杯竞猜投注平台,传输特性按各产品也不同2021欧洲杯竞猜投注平台2021欧洲杯竞猜投注平台。




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